ドライエッチング装置 NC8000
（MRAM用ドライエッチング装置 NC8000）
半導体デバイス製造装置
従来の反応性エッチングでは加工が困難なMRAM多層磁性膜を一括してエッチングすることが可能なイオンビームエッチング装置です。
高い加工性能と生産性を実現できます。
用途
MRAMの量産
特長
- 大口径Gridによる高い均一性と生産性
- クランプレスホルダーによる全面エッチング
- OES（光学式エンドポイントシステム）によるMRAM多層膜で使用される各種金属膜の検出
仕様
- 装置構成：
- クラスター式
- 対応基板サイズ：
- φ300mm
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