ドライエッチング装置 NC8000
(MRAM用ドライエッチング装置 NC8000)
半導体デバイス製造装置
従来の反応性エッチングでは加工が困難なMRAM多層磁性膜を一括してエッチングすることが可能なイオンビームエッチング装置です。
高い加工性能と生産性を実現できます。

用途
MRAMの量産
特長
- 大口径Gridによる高い均一性と生産性
- クランプレスホルダーによる全面エッチング
- OES(光学式エンドポイントシステム)によるMRAM多層膜で使用される各種金属膜の検出
仕様
- 装置構成:
- クラスター式
- 対応基板サイズ:
- φ300mm
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