常温で接合
金属薄膜の表面における原子拡散で接合するため、熱を加える必要がありません。
無加圧で接合
接合面に形成した金属薄膜の表面エネルギーを利用するため、加圧する必要がありません。
強固な接合
原子レベルで金属結合しているため、接合強度が高く、信頼性、耐久性に優れています。
異種材料の接合
常温プロセスのため、熱に弱いデバイスの接合や熱膨張率の異なる異種材料の接合を可能にします。
接合する2枚のウェハー表面にスパッタリングにて金属薄膜を形成し、引き続き同一超高真空中で成膜面を相互に接触させ、金属薄膜表面における原子拡散を利用して接合します。
- 高周波デバイス
HAL*1-SAW*2: LT基板、LN基板とSi基板との接合
- パワーデバイス
SiC基板とInP基板との接合
- MEMS*3
Si基板と石英基板との接合
※その他ご希望の材料に関しては、お問い合わせください。
*1 HAL:Hetero Acoustic Layer
*2 SAW:Surface Acoustic Wave
*3 MEMS:Micro Electro Mechanical Systems
当社の接合装置はφ100 mm、φ150 mmウェハーで以下の材料の接合ができます。
接合材料としてスパッタ成膜する材料一覧
- チタン (Ti)
- シリコン (Si)
- アルミニウム (Al)
- タングステン (W)
※ご用途により最適な接合材料をご提案させて戴きます。
- 装置構成：クラスター式
- 対応基板サイズ：φ100 mm, φ150 mm
- 主排気系：ターボ分子ポンプ
- 電力：3φ AC 200 V ±10 %, 125 A, 50 / 60 Hz (D種接地)
- 冷却水：30 〜 34 L/min, 0.2 〜 0.3 MPa, 15 〜 30 ℃
- 圧縮空気：0.5 〜 0.8 MPa
- プロセスガス：0.15 〜 0.4 MPa
- スループット：3.5 min/set (条件により異なります)
- 質量：3,720 kg (装置本体)
- 設置面積：W3,300 mm × D5,100 mm
