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IBE Millingから各種成膜までを一貫処理するハードディスクの磁気ヘッド向けスパッタリング装置です。
ハードディスクの磁気ヘッド、磁気センサーなどの磁性体多層薄膜を優れた膜厚均一性で形成するスパッタリング装置です。
MTJ素子形成のための優れた膜厚均一性と極薄膜の多層薄膜を可能にする量産向けスパッタリング装置です。
半導体配線向け200 mmスパッタリング装置です。カソードにはボトムカバレッジと埋め込み性に優れたPCMカソードも選択可能です。
MTJ素子形成のための優れた膜厚均一性と極薄膜の多層薄膜を可能にする研究開発～少量生産向けスパッタリング装置です。
半導体配線向け300mmスパッタリング装置です。カソードにはボトムカバレッジと埋め込み性に優れたPCMカソードも選択可能です。
斜め入射回転スパッタ方式による優れた膜厚均一性とナノレベルの膜厚制御が可能なスパッタリング装置です。
多数枚基板処理で、小型基板を用いる電子部品分野に最適なトレイ搬送式のクラスタースパッタリング装置です。
オフセット自転スパッタ、オフセット自公転スパッタなど用途に応じた様々なモジュールを搭載可能なスパッタリング装置です。
10段のロードロックストッカーを装備し、多様なオプション設定で研究開発～小量生産に対応するスパッタリング装置です。
高速搬送、高成膜レート、生産規模に応じた構成に拡張可能なハードディスクの磁気ディスク向けスパッタリング装置です。
高密度実装に求められる様々な基板へのパッケージング（PLP、WLP）配線に対応するスパッタリング装置です。
成膜有効エリアが広いため、小型基板の多数枚処理に適し、用途や生産量に応じて様々なカスタマイズが可能なスパッタリング装置です。
ロードロックを標準装備し、多様なオプション設定で研究開発の様々な用途に対応するスパッタリング装置です。
コンパクト、省スペース、多様なオプション設定で研究開発の様々な用途に対応するスパッタリング装置です。
大口径イオンビーム、クランプレスのIBEモジュールで高い加工性能を実現するMTJ素子加工向けのエッチング装置です。
薄膜の種類と膜厚の最適化で、ウェハー材質によらずに、常温、無加圧で原子レベルでの接合を実現する∅200～300 mm対応のウェハー接合装置です。
金属膜の種類と膜厚の最適化で、ウェハー材質によらずに、常温、無加圧で原子レベルでの接合を実現するφ100～150 mm対応のウェハー接合装置です。
