MRAM用スパッタリング装置 NC7900
不揮発メモリー（NVM）として注目されているMRAM用多層膜を成膜する量産向けスパッタリング装置です。
STT-MRAMに採用される面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJ両方の成膜に対応可能です。
研究開発装置として使用されてきたスパッタリング装置 EC7800をMRAM量産に対応できるよう、高スループット、低パーティクル化を実現しました。
製品情報
MRAM量産のMTJ素子多層膜成膜
- 超高真空下での斜め入射回転成膜
- 多層薄膜形成技術、良質な界面コントロール
- 面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJの両方に対応可能
- 垂直磁化型MTJにおいて20枚/hのスループットを実現
- 装置構成：クラスター式
- チャンバー構成：スパッタ室、エッチング室、酸化処理室、ヒート室
- 対応基板サイズ：φ300 mm
- カソード：RMCカソード（DC、RF方式）、最大32基
- カソードサイズ：7.1 inch
- 主排気系：ターボー分子ポンプ、クライオポンプ
用語の説明
- NVM：不揮発性メモリ（Non-Volatile Memory）の略。
電源がなくても記録保持するメモリ。 - MRAM：磁気ランダムアクセスメモリ（Magnetoresistive Random Access Memory）の略。
MTJ素子を用いて、記録、読出しを行う不揮発性メモリ。このメモリは電源を切っても記録保持されるため、信頼性の必要となる箇所へ使用されます。 - STT-MRAM：スピン注入磁化反転（Spin Transfer Torque）-MRAMの略。
磁性層の磁化反転にスピン注入磁化反転を利用した次世代のMRAM。 - MTJ：磁気トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction)の略。
TMR（Tunnel Magneto-Resistance) 効果によって電気抵抗が変化する素子。 - 垂直磁化型MTJ：磁性膜に対して垂直方向に磁化させた記録方式。
- 面内磁化型MTJ：垂直磁化型に対し、磁性膜に水平に磁化させた記録方式。